для лучшей работы памяти латентность надо повышать или понижать? например 4-4-4-15
или
5-5-5-15
и что означает каждое число?
Латентность Оперативной Памяти
-
crazy
- Модератор
- Сообщения: 2358
- Зарегистрирован: Ср май 28, 2003 9:18 am
- Откуда: АПВС ? ВА ?
- Контактная информация:
В данном FAQ'е описывается лишь DDR SDRAM, а также освещаются отдельные вопросы, касающиеся SDR SDRAM. Память "не SDRAM" (RDRAM, EDO DRAM, FP DRAM, etc.) тут не обсуждается.
Как разогнать оперативную память?
Существуют два способа – увеличить частоту и уменьшить тайминги. Зачастую улучшение одного параметра даётся ценой ухудшения другого, а значит – приходится искать "золотую середину".
Как увеличить частоту оперативной памяти?
Увеличить частоту FSB и/или изменить делитель FSB:memory. Данные параметры выставляются в BIOS'е.
Если я выставлю делитель 1:1, то у меня FSB и память будут работать на одной частоте, то есть будут синхронны?
Да. Другое дело, что для разных процессоров разные частоты памяти считаются "родными". Для процессоров Intel "нормальными" считаются следующие сочетания: 100:133, 133:166 и 200:200, то есть "младшие" процессоры семейства Р4 предпочитают асинхронную работу с памятью. Для AMD на чипсетах NForce – лучше синхронная работа. А вот для связки "AMD+VIA" всё очень неоднозначно...
Кроме того – на системах с процессором AMD частота памяти выставляется в процентах от FSB: например – 50%, 60%, 66%, 75%, 80%, 83%, 100%, 120%, 125%, 133%, 150%, 166% или 200%. По сути – тот же делитель, но представлен чуть по-другому.
С делителями AMD понятно. Какие бывают делители у Intel?
Обычно 1:1, 4:3, 5:4.
Я в BIOS'е поставил 333 МГц, а CPU-Z показывает "Memory frequency" 166 МГц. Почему?
Потому что 333 - это "эффективная" частота, а не реальная. Подробное обяснение - в следующем вопросе.
Неужели при синхронной работе частота памяти достигает 400 МГц?
Нет. DDR SDRAM (Double Data Rate или Dual Data Rate SDRAM) – тип SDRAM, в котором данные передаются по обоим фронтам синхросигнала, что позволяет при той же частоте тактирования передавать в два раза больше данных по сравнению с SDR SDRAM. Других принципиальных отличий от SDR SDRAM нет. Частота может быть любая в пределах возможностей техпроцесса изготовления (обычно – 133, 166, 200, 250 МГц). Как правило, в обозначениях указывается "эффективная частота", то есть – такая частота, которая потребовалась бы "обычной" (SDR) SDRAM для того, чтобы передавать данные с такой же скоростью. То есть "эффективная частота" DDR – суть рейтинг, очередной маркетинговый ход. (Например, PC133 и DDR266 работают на одной частоте – 133 МГц.)
Что такое "PC2100"? На частоту не похоже... Она быстрее DDR400?
Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной" частоте (DDRxxx), а второе - по теоретической пропускной способности (PCxxxx).
Обозначение "DDRxxx" исторически развилось из последовательности названий стандартов "PC66-PC100-PC133" - когда было принято скорость памяти ассоциировать с частотой (разве что ввели аббревиатуру "DDR" для того, чтобы отличать SDR SDRAM от DDR SDRAM). Одновременно с памятью DDR SDRAM появилась память RDRAM ("Rambus"), на которой хитрые маркетологи решили ставить не частоту, а пропускную способность - PC800. При этом ширина шины данных как была 64 бита (8 байт) - так и осталась, то есть те самые PC800 (800 МБ/с) получались умножением 100 МГц на 8 байт. Естественно, от названия ничего не изменилось, и PC800 RDRAM - суть та же самая PC100 SDRAM, только в другом корпусе... Но ведь обозначение "PC800" выглядит круче, чем "PC100"! А суть... Кого волнует суть, когда впаривают фуфло лохам? Wink И авторам DDR SDRAM ничего не оставалось, как ответить на эти уродские выпады тем же - начать писАть на своих модулях "PCxxxx". Так появились PC1600, PC2100 и другие... При этом у DDR SDRAM "эффективная" частота была выше в два раза, а значит - и больше числа на обозначениях, так что Rambus села в лужу, а точнее - свалилась в яму, которую сама и выкопала... А мы вынуждены мучиться с двойной системой обозначений и платить из своего кармана за бои в войне стандартов. Sad
Соответствия:
100 МГц - PC1600 DDR SDRAM - PC100 SDRAM - PC800 RDRAM
133 МГц - PC2100 DDR SDRAM - DDR266 SDRAM - PC133 SDRAM - PC1066 RDRAM
166 МГц - PC2700 DDR SDRAM - DDR333 SDRAM - PC166 SDRAM
200 МГц - PC3200 DDR SDRAM - DDR400 SDRAM
216 МГц - PC3500 DDR SDRAM - DDR433 SDRAM
233 МГц - PC3700 DDR SDRAM - DDR466 SDRAM
250 МГц - PC4000 DDR SDRAM - DDR500 SDRAM
(Подробнее о Rambus'е - http://deeppvo.narod.ru/data/rambus.htm )
Что такое тайминги?
Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.
Логически всё пространство памяти представлено как множество ячеек, выстроенных "прямоугольниками", состоящими из определённого количества строк и столбцов. Один такой "прямоугольник" называется страницей, а совокупность страниц называется банком.
Для того, чтобы обратиться к ячейке, контроллер должен задать номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца. Кроме того, время тратится на "открытие/закрытие" банка и на саму операцию чтения/записи. На каждое такое действие требуется время, которое и называется таймингом.
Некоторые тайминги нам недоступны для настройки, например – время выставления CS# (Crystal Select; по этому сигналу выбирается кристалл (чип) на модуле, с которым будет производиться операция), некоторые – можно менять. Вот те, что обычно доступны:
RAS-to-CAS Delay (RCD) – задержка между сигналами RAS# и CAS#. Необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения строки и столбца адреса ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.
RAS# (Row Address Srobe) и CAS# (Column Address Strobe) – сигналы, подтверждающие выставление на шину двух составляющих адреса ячейки – строки и столбца соответственно.
CAS Latency (CL) – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.
RAS Precharge (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, то есть – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" –CL-RCD-RP (или даже CL-RP-RCD).
Precharge Delay (или Active Precharge Delay; чаще обозначается как Tras) – время активности строки. То есть – период, в течение которого "закрывается" строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
Подробная временнАя диаграмма доступна по адресу: http://www.toms-hardware.ru/howto/20030 ... ng-08.html#_
SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit) – количество тактов, в течение которого страница может оставаться открытой, после чего следует её принудительное закрытие (для доступа к другой странице или операции обновления содержимого).
Для произвольных обращений в память бОльшую пользу приносит использование частого закрытия страниц (чем быстрее закроется одна страница, тем быстрее возможен доступ в другую), тогда как для операций "сплошных" чтения-записи выгоднее дольше держать страницу открытой.
Burst Length - параметр, который позволяет установить размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше размер предвыборки, тем выше производительность памяти. (Источник информации - Carlsson)
Подскажите что за [1T]
Это тайминг контроллера command rate
Подробнее тут
Можно ли что-то ещё настраивать в BIOS'е для увеличения производительности?
Да. Подробности – в справочнике "Полные настройки BIOS": http://www.3dnews.ru/reviews/mainsystem/bios/
Кое-что ещё о BIOS: http://bazilic.ru/bios/bios1.htm
Что лучше – высокая частота или маленькие тайминги?
Некоторое исследование приведено здесь: http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=11220 (а его исток - здесь: http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=9427 )
Есть мнение, что для Intel'а важнее тайминги, тогда как для AMD – частота. В частности, ALT-F13 (гуру с www.ModLabs.net) утверждает: "Лучший вариант для Intel – самые агрессивные тайминги. Настолько, что асинхрон с 2-5-2-2 рулит синхрон с 2.5-7-3-3 при любом FSB (то есть – 280 3-7-3-3 при 1:1 хуже, чем 230 2-5-2-2 при 5:4)".
При этом не стОит забывать, что для AMD чаще всего частота памяти важна не абы какая, а достигаемая в синхронном режиме.
Я немного увеличил частоту (или уменьшил тайминги), но дальше память разгоняться отказывается. Что делать?
Увеличить напряжение на оперативной памяти.
Как увеличить напряжение на памяти?
В небольших пределах оно меняется из BIOS'а материнской платы. Чтобы изменить больше, чем позволяет материнская плата – надо сделать ей вольтмод (о нём можно узнать на нашем форуме – http://forums.overclockers.ru или на http://forum.modlabs.net).
Насколько безопасно увеличивать напряжение на памяти?
При номинале 2.5 В большинство материнских плат позволяют выставлять до 2.8-3.0 В; при этом начиная с 2.8 В некоторые материнские платы начинают предупреждать пользователя об "опасном пороге" напряжения на памяти, но работают при этом исправно.
У большинства оверклокеров разогнанная память "живёт" в диапазоне 2.8-3.0 В. У вольтмоддеров-экстремалов – может и за 3.2 В зашкаливать.
Думаю, что выражу мнение большинства оверклокеров, если скажу, что 2.9 В - та самая "опасная" граница...
Главное при повышении напряжения (на любом компоненте, не только на памяти) – контролировать тепловыделение, и при его повышении – немедленно охлаждать разогнанный компонент. (Ссылка "Как не надо делать охлаждение памяти" – http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=16159 )
Если вы не можете без боли от ожога дотронуться до компонента компьютера - его надо срочно охладжать! И тем более - ни в коем случае не повышать напряжение на нём без организации охлаждения! Если компонент горячий - руку держать можно, но через силу - то охлаждение ему не помешает (хотя и не обязательно), а вот напряжение повышать опять же нельзя! И только если чувствуете, что он "чуть тёплый" или вообще холодный - лишь тогда можно увеличивать напряжение.
То есть - всё по-прежнему оценивается "на глазок". И дело тут не в том, что мы не знаем допустимых границ или такие ленивые, что не можем померить, а в том, что модули все разные... Ведь в этом суть процессса разгона - добиться максимума производительности при условии, что он заранее неизвестен. Wink
Я купил DDR433, а на ней автоматически ставится напряжение 2.7 В вместо 2.5 В. Меня обманули?
Нет. Напряжение 2.7 В может прошиваться в SPD производителем памяти, если она уже разогнана им на фабрике. DDR433 не является стандартом, что мы и наблюдаем в данном случае. Это – память, "разогнанная добрым дядей за нас".
Что такое SPD?
SPD (Serial Presence Detect) – маленькая микросхема на модуле памяти, в которую записаны все параметры, необходимые для работы модуля (частота, тайминги...). В последнее время в SPD стали добавлять информацию о производителе, дате производства и тому подобную.
Более полная информация об SPD – http://ixbt.com/mainboard/spd.shtml
У меня была DDR333, которая разгонялась до DDR400 (20% разгона); я купил DDR433 того же производителя, рассчитывая разогнать её хотя бы до DDR500 (15% разгона), но она не завелась даже на 440. Почему?
Как правило – чем выше номинальная частота памяти, тем ближе она к потенциальному "потолку" разгона для нынешней технологии изготовления SDRAM. В данном случае – из памяти уже "выжали" всё, что могли.
Насколько объём памяти влияет на разгон?
Сам по себе объём влияет лишь на быстродействие компьютера в целом – чем больше памяти, тем меньше вероятность свопирования (swaping), а значит – задержек. Но при достижении некоторого порога система практически перестаёт пользоваться свопом, то есть увеличение объёма памяти уже не приносит выигрыша в производительности.
На разгон больше влияет не общий объём, а количество модулей памяти, количество чипов на них и количество банков. При определённых значениях данных величин контроллер перегружается и начинает работать медленнее или с ошибками. Для решения проблемы ненадёжности контроллера при больших объёмах памяти применяется так называемая Registered память.
Можно ли вставлять SDR SDRAM в слоты для DDR SDRAM? (И наоборот – DDR в слоты SDR?)
Нет. Хотя они и одинаковы по длине – на этом их сходство и заканчивается. Вот их отличия:
1. Номинальные напряжения питания: 3.3 В – для SDR и 2.5-2.7 В – для DDR
2. Количество контактов: 168 – SDR и 184 – DDR
3. Ключи в нижней части модуля (в полосе контактов): 2 – SDR и 1 – DDR
4. Ключи по бокам модуля (под защёлки): 1 – SDR и 2 – DDR
Вставить модуль в не предназначенный для него слот, конечно, можно, но доступно это только очень сильным и невнимательным. Wink
Ставлю в материнскую плату 512 МБ модуль, а показывает 256. Что за глюки?
Актуально для старых материнских плат, в которые пытаются воткнуть новую память. Причин две:
1. Материнская плата не поддерживает модули данного объёма.
2. Материнская плата не поддерживает модули данной логической организации.
Объяснение второго пункта "на пальцах": ячейки в памяти считываются по "строкам" и "столбцам"; модуль 64 МБ условно может быть организован как 8х8, так и 4х16 или 2х32 мегабайт... Решение 2х32 - слишком экзотично, и инженеры исключают его поддержку, удешевляя плату – логично полагая, что модуль 16х16 (256) – вполне достаточен для нужд данной платы... И поэтому они ставят ограничение на размерность модуля – 16х16. Ну, а когда прогресс приносит нам новую память, и мы втыкаем 512 (16х32), то материнская плата вполне закономерно не видит половины строк или столбцов – она просто не подозревает об их существовании...
Ещё такое может быть связано с тем, что материнская плата некорректно обрабатывает количество банков в модуле (или просто не поддерживает нужное их количество).
Чаще всего такой глюк проявляется на односторонних модулях большой ёмкости, причём – чем меньше чипов на модуле (то есть – они более ёмкие), тем больше его вероятность.
Ставлю в материнскую плату 128 МБ модуль, а показывает 512. Что это?
Это глюк некоторых Intel'овских плат – у них идиосинкразия к определённым модулям. Sad Причём закономерность установить не удалось – те же самые модули в других платах работают прекрасно.
Глюк этот выглядит просто потрясающе: при имеющихся трёх слотах для памяти (один заполнен, два пустые), BIOS показывает четыре слота, причём – все "заполненные"! Wink
На моей материнской плате есть слоты и для SDR SDRAM и для DDR SDRAM, но вместе эти модули не гонятся. Почему?
Потому, что для SDR SDRAM уже достигнута максимальная частота – такие системы проектировались под PC133 и DDR266, и других общих частот у них быть не может (потому, что ни PC166, ни DDR200 официально не выпускались).
Кроме того, не стОит забывать, что модули с различными типами организации при работе вместе зачастую очень плохо разгоняются. (см. следующий вопрос о разнотипных модулях).
При работе в одной связке разных модулей наблюдаются глюки. Из-за чего?
Из-за того, что разные модули имеют разные характеристики, под которые должен "подстраиваться" контроллер памяти. Если он будет пытаться угодить сразу всем модулям, то работа будет возможна лишь на скорости самого медленного модуля (это относится и к частоте, и к таймингам). Если же он будет работать в жёстко заданном режиме разгона, то часть модулей не успеет исполнить его команды и будет глючить.
Кроме того, некоторые контроллеры определяют логическую организацию памяти не по всем модулям, а только по нулевому, при этом могут появиться "фантомные" мегабайты, а чаще – доля объёма памяти "пропадает".
Что такое двухканальная память?
Не бывает двухканальной памяти!!! Бывают двухканальные материнские платы – точно так же, как бывают двухпроцессорные. Наличие двух каналов памяти на материнской плате позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Для реализации этого режима нужно два или четыре модуля памяти, желательно – идентичных.
Как включить двухканальный режим?
Вручную - никак. Точнее - он включается сам, если обнаруживает модули памяти в слотах, относящихся к разным каналам. Слоты, в которые рекомендуется ставить модули из одной "пары", обозначаются одним цветом, слоты для другой "пары" - другим; то есть - первую пару модулей нужно ставить в слоты одного цвета, чтобы включился двухканальный режим.
Если не включился - попробуйте переставить модули в другие слоты.
Я задействовал двухканальный режим, но что-то не заметил ощутимого прироста производительности. Почему?
В теории два канала дают в два раза больше производительности подсистемы памяти; на практике результаты скромнее – от 1% до 20% (в зависимости от приложения). При использовании интегрированного видеоадаптера его эффективность может возрасти на 70-100%.
Помимо этого большую роль играет ЦП – для AMD прирост от двухканальности практически незаметен на FSB<200 МГц, тогда как на Intel'е прирост ощутим на любых частотах.
Я добавил к своему модулю 512 МБ ещё один – 256 МБ, но двухканальный режим не включился. Почему?
(Вариант: Как правильно ставить модули для двухканального режима?)
Сумма мегабайт в одном канале должна быть равна сумме мегабайт в другом канале. Лучше всего, если будут использованы идентичные модули – одна или две пары, но в принципе можно использовать и разные... Главное – чтобы модуль, имеющий наибольший объём, находился в нулевом банке памяти, а оставшиеся два слота от другого канала были заполнены таким же количеством мегабайт. То есть варианты 512+512+0 и 512+256+256 имеют право на существование, а 512+512+256 или 512+128+128 – нет. Для четырёх слотов могут быть комбинации типа 512+0+512+0, 512+0+256+256, 512+256+512+256.
У меня 3 планки по 256 МБ стоят и работают в режиме Dual channel! Почему?
На http://www.8rdafaq.com разобрали ситуацию: при таком положении модулей Dual-mode 128 bit будет работать на одном модуле. Второй и третий модуль будут работать в режиме 64 bit. Так что всё-таки оптимальный режим – когда в обоих банках одинаковое количество памяти.
Чем можно протестировать память?
Тестовыми программами, которые лежат здесь: http://www.overclockers.ru/files/index.shtml?dir=25
Что такое Parity и ECC?
Memory with Parity – память с проверкой чётности; позволяет детектировать некоторые типы ошибок. Ныне почти не применяется.
Memory with ECC – память с коррекцией ошибок; позволяет найти и исправить ошибку одного бита в байте (или найти две и исправить одну – в зависимости от алоритма). Применяется там, где важна целостность данных – в серверах и маршрутизаторах. СтОит дорого, работает относительно медленно; для оверклокера – малопривлекательна.
Что такое "регистровая" память?
Registered Memory – память с регистрами, служащими буфером между контроллером памяти и непосредственно чипами модуля. Регистры уменьшают нагрузку на систему синхронизации и позволяют набирать очень большое количество памяти (например – 16-24 ГБ), не перегружая цепи контроллера (то есть контроллер управляет лишь регистрами – считанными единицами чипов).
Но данная схема имеет недостаток – регистры вносят задержку в 1 такт на каждую операцию, а значит – регистровая память медленнее обычной при прочих равных условиях. То есть – оверклокеру неинтересна. (Да и стОит она очень дорого.)
Более полная информация о Registered Memory – http://ixbt.com/mainboard/registered-dimm.shtml
Сколько нужно памяти?
Для 98-ых виндов хватит и 512 МБ (кроме того - они без спецнастроек и не работают нормально с объёмом памяти, превышающим 512 МБ - смотри http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=11620 и http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=13599 ), а вот 2000-ые и ХР позволяют использовать много памяти, да и сами "потяжелее" будут... Для проверки необходимости увеличения объёма памяти нужно запустить Task Manager и поработать в приложениях, обычных для тестируемого компьютера. При выходе из приложения нужно глянуть на график использования физической оперативной памяти - если её использование составляет 95% и более - необходим upgrade.
Хочу купить память. Как точно узнать – насколько она разгонится?
Точно узнать невозможно. Даже в пределах одной партии модулей результаты могут различаться... Наиболее вероятный прогноз может дать владелец модуля, но только при том условии, что к покупке планируется точно такой же модуль из той же самой партии.
Примерный прогноз разгона памяти можно составить по обзорам на http://www.overclockers.ru/reviews/memory.shtml , но окончательный ответ даст только собственный опыт – разгон этого модуля и тесты.
Чтобы не купить "не то" – пользуйтесь "секретным оружием" – money back! Wink Money back – это заранее обговорённая с продавцом возможность вернуть товар без объяснений в течение двух-трёх дней. Предупреждайте продавца заранее - до того, как он "проведёт" деньги через кассу!
У друга классная память – хочу купить себе такую же... У меня она разгонится?
Может – да, а может – нет. Если система точно такая же – скорее всего результаты будут близкими, если не такая же – "бабушка надвое сказала". Wink
Купил себе память (проц, видеокарту, etc.) Насколько она у меня разгонится?
Ну неужели вам самим не интересно попробовать??? Ну что это за оверклокер, который спрашивает "Разгонится моя память или нет?"! Это фигня какая-то, а не оверклокер! Smile
Не ленитесь сами экспериментировать!!! Настоящий оверклокер сам разгоняет всё, что может. Сам экспериментирует и выясняет пределы возможностей своих "железок".
Так же рекомендую к прочтению даную статью Современная оперативная память
При составлении данного FAQ'а использованы: обзоры и тесты на http://overclockers.ru , материалы дискуссий на http://forums.overclockers.ru/viewforum.php?f=4 , а также – статья http://ixbt.com/mainboard/memorytune-viabios.shtml . Ну и – конечно – собственный опыт. Smile
взято с overclockers.ru
Как разогнать оперативную память?
Существуют два способа – увеличить частоту и уменьшить тайминги. Зачастую улучшение одного параметра даётся ценой ухудшения другого, а значит – приходится искать "золотую середину".
Как увеличить частоту оперативной памяти?
Увеличить частоту FSB и/или изменить делитель FSB:memory. Данные параметры выставляются в BIOS'е.
Если я выставлю делитель 1:1, то у меня FSB и память будут работать на одной частоте, то есть будут синхронны?
Да. Другое дело, что для разных процессоров разные частоты памяти считаются "родными". Для процессоров Intel "нормальными" считаются следующие сочетания: 100:133, 133:166 и 200:200, то есть "младшие" процессоры семейства Р4 предпочитают асинхронную работу с памятью. Для AMD на чипсетах NForce – лучше синхронная работа. А вот для связки "AMD+VIA" всё очень неоднозначно...
Кроме того – на системах с процессором AMD частота памяти выставляется в процентах от FSB: например – 50%, 60%, 66%, 75%, 80%, 83%, 100%, 120%, 125%, 133%, 150%, 166% или 200%. По сути – тот же делитель, но представлен чуть по-другому.
С делителями AMD понятно. Какие бывают делители у Intel?
Обычно 1:1, 4:3, 5:4.
Я в BIOS'е поставил 333 МГц, а CPU-Z показывает "Memory frequency" 166 МГц. Почему?
Потому что 333 - это "эффективная" частота, а не реальная. Подробное обяснение - в следующем вопросе.
Неужели при синхронной работе частота памяти достигает 400 МГц?
Нет. DDR SDRAM (Double Data Rate или Dual Data Rate SDRAM) – тип SDRAM, в котором данные передаются по обоим фронтам синхросигнала, что позволяет при той же частоте тактирования передавать в два раза больше данных по сравнению с SDR SDRAM. Других принципиальных отличий от SDR SDRAM нет. Частота может быть любая в пределах возможностей техпроцесса изготовления (обычно – 133, 166, 200, 250 МГц). Как правило, в обозначениях указывается "эффективная частота", то есть – такая частота, которая потребовалась бы "обычной" (SDR) SDRAM для того, чтобы передавать данные с такой же скоростью. То есть "эффективная частота" DDR – суть рейтинг, очередной маркетинговый ход. (Например, PC133 и DDR266 работают на одной частоте – 133 МГц.)
Что такое "PC2100"? На частоту не похоже... Она быстрее DDR400?
Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной" частоте (DDRxxx), а второе - по теоретической пропускной способности (PCxxxx).
Обозначение "DDRxxx" исторически развилось из последовательности названий стандартов "PC66-PC100-PC133" - когда было принято скорость памяти ассоциировать с частотой (разве что ввели аббревиатуру "DDR" для того, чтобы отличать SDR SDRAM от DDR SDRAM). Одновременно с памятью DDR SDRAM появилась память RDRAM ("Rambus"), на которой хитрые маркетологи решили ставить не частоту, а пропускную способность - PC800. При этом ширина шины данных как была 64 бита (8 байт) - так и осталась, то есть те самые PC800 (800 МБ/с) получались умножением 100 МГц на 8 байт. Естественно, от названия ничего не изменилось, и PC800 RDRAM - суть та же самая PC100 SDRAM, только в другом корпусе... Но ведь обозначение "PC800" выглядит круче, чем "PC100"! А суть... Кого волнует суть, когда впаривают фуфло лохам? Wink И авторам DDR SDRAM ничего не оставалось, как ответить на эти уродские выпады тем же - начать писАть на своих модулях "PCxxxx". Так появились PC1600, PC2100 и другие... При этом у DDR SDRAM "эффективная" частота была выше в два раза, а значит - и больше числа на обозначениях, так что Rambus села в лужу, а точнее - свалилась в яму, которую сама и выкопала... А мы вынуждены мучиться с двойной системой обозначений и платить из своего кармана за бои в войне стандартов. Sad
Соответствия:
100 МГц - PC1600 DDR SDRAM - PC100 SDRAM - PC800 RDRAM
133 МГц - PC2100 DDR SDRAM - DDR266 SDRAM - PC133 SDRAM - PC1066 RDRAM
166 МГц - PC2700 DDR SDRAM - DDR333 SDRAM - PC166 SDRAM
200 МГц - PC3200 DDR SDRAM - DDR400 SDRAM
216 МГц - PC3500 DDR SDRAM - DDR433 SDRAM
233 МГц - PC3700 DDR SDRAM - DDR466 SDRAM
250 МГц - PC4000 DDR SDRAM - DDR500 SDRAM
(Подробнее о Rambus'е - http://deeppvo.narod.ru/data/rambus.htm )
Что такое тайминги?
Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.
Логически всё пространство памяти представлено как множество ячеек, выстроенных "прямоугольниками", состоящими из определённого количества строк и столбцов. Один такой "прямоугольник" называется страницей, а совокупность страниц называется банком.
Для того, чтобы обратиться к ячейке, контроллер должен задать номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца. Кроме того, время тратится на "открытие/закрытие" банка и на саму операцию чтения/записи. На каждое такое действие требуется время, которое и называется таймингом.
Некоторые тайминги нам недоступны для настройки, например – время выставления CS# (Crystal Select; по этому сигналу выбирается кристалл (чип) на модуле, с которым будет производиться операция), некоторые – можно менять. Вот те, что обычно доступны:
RAS-to-CAS Delay (RCD) – задержка между сигналами RAS# и CAS#. Необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения строки и столбца адреса ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.
RAS# (Row Address Srobe) и CAS# (Column Address Strobe) – сигналы, подтверждающие выставление на шину двух составляющих адреса ячейки – строки и столбца соответственно.
CAS Latency (CL) – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.
RAS Precharge (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, то есть – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" –CL-RCD-RP (или даже CL-RP-RCD).
Precharge Delay (или Active Precharge Delay; чаще обозначается как Tras) – время активности строки. То есть – период, в течение которого "закрывается" строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
Подробная временнАя диаграмма доступна по адресу: http://www.toms-hardware.ru/howto/20030 ... ng-08.html#_
SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit) – количество тактов, в течение которого страница может оставаться открытой, после чего следует её принудительное закрытие (для доступа к другой странице или операции обновления содержимого).
Для произвольных обращений в память бОльшую пользу приносит использование частого закрытия страниц (чем быстрее закроется одна страница, тем быстрее возможен доступ в другую), тогда как для операций "сплошных" чтения-записи выгоднее дольше держать страницу открытой.
Burst Length - параметр, который позволяет установить размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше размер предвыборки, тем выше производительность памяти. (Источник информации - Carlsson)
Подскажите что за [1T]
Это тайминг контроллера command rate
Подробнее тут
Можно ли что-то ещё настраивать в BIOS'е для увеличения производительности?
Да. Подробности – в справочнике "Полные настройки BIOS": http://www.3dnews.ru/reviews/mainsystem/bios/
Кое-что ещё о BIOS: http://bazilic.ru/bios/bios1.htm
Что лучше – высокая частота или маленькие тайминги?
Некоторое исследование приведено здесь: http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=11220 (а его исток - здесь: http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=9427 )
Есть мнение, что для Intel'а важнее тайминги, тогда как для AMD – частота. В частности, ALT-F13 (гуру с www.ModLabs.net) утверждает: "Лучший вариант для Intel – самые агрессивные тайминги. Настолько, что асинхрон с 2-5-2-2 рулит синхрон с 2.5-7-3-3 при любом FSB (то есть – 280 3-7-3-3 при 1:1 хуже, чем 230 2-5-2-2 при 5:4)".
При этом не стОит забывать, что для AMD чаще всего частота памяти важна не абы какая, а достигаемая в синхронном режиме.
Я немного увеличил частоту (или уменьшил тайминги), но дальше память разгоняться отказывается. Что делать?
Увеличить напряжение на оперативной памяти.
Как увеличить напряжение на памяти?
В небольших пределах оно меняется из BIOS'а материнской платы. Чтобы изменить больше, чем позволяет материнская плата – надо сделать ей вольтмод (о нём можно узнать на нашем форуме – http://forums.overclockers.ru или на http://forum.modlabs.net).
Насколько безопасно увеличивать напряжение на памяти?
При номинале 2.5 В большинство материнских плат позволяют выставлять до 2.8-3.0 В; при этом начиная с 2.8 В некоторые материнские платы начинают предупреждать пользователя об "опасном пороге" напряжения на памяти, но работают при этом исправно.
У большинства оверклокеров разогнанная память "живёт" в диапазоне 2.8-3.0 В. У вольтмоддеров-экстремалов – может и за 3.2 В зашкаливать.
Думаю, что выражу мнение большинства оверклокеров, если скажу, что 2.9 В - та самая "опасная" граница...
Главное при повышении напряжения (на любом компоненте, не только на памяти) – контролировать тепловыделение, и при его повышении – немедленно охлаждать разогнанный компонент. (Ссылка "Как не надо делать охлаждение памяти" – http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=16159 )
Если вы не можете без боли от ожога дотронуться до компонента компьютера - его надо срочно охладжать! И тем более - ни в коем случае не повышать напряжение на нём без организации охлаждения! Если компонент горячий - руку держать можно, но через силу - то охлаждение ему не помешает (хотя и не обязательно), а вот напряжение повышать опять же нельзя! И только если чувствуете, что он "чуть тёплый" или вообще холодный - лишь тогда можно увеличивать напряжение.
То есть - всё по-прежнему оценивается "на глазок". И дело тут не в том, что мы не знаем допустимых границ или такие ленивые, что не можем померить, а в том, что модули все разные... Ведь в этом суть процессса разгона - добиться максимума производительности при условии, что он заранее неизвестен. Wink
Я купил DDR433, а на ней автоматически ставится напряжение 2.7 В вместо 2.5 В. Меня обманули?
Нет. Напряжение 2.7 В может прошиваться в SPD производителем памяти, если она уже разогнана им на фабрике. DDR433 не является стандартом, что мы и наблюдаем в данном случае. Это – память, "разогнанная добрым дядей за нас".
Что такое SPD?
SPD (Serial Presence Detect) – маленькая микросхема на модуле памяти, в которую записаны все параметры, необходимые для работы модуля (частота, тайминги...). В последнее время в SPD стали добавлять информацию о производителе, дате производства и тому подобную.
Более полная информация об SPD – http://ixbt.com/mainboard/spd.shtml
У меня была DDR333, которая разгонялась до DDR400 (20% разгона); я купил DDR433 того же производителя, рассчитывая разогнать её хотя бы до DDR500 (15% разгона), но она не завелась даже на 440. Почему?
Как правило – чем выше номинальная частота памяти, тем ближе она к потенциальному "потолку" разгона для нынешней технологии изготовления SDRAM. В данном случае – из памяти уже "выжали" всё, что могли.
Насколько объём памяти влияет на разгон?
Сам по себе объём влияет лишь на быстродействие компьютера в целом – чем больше памяти, тем меньше вероятность свопирования (swaping), а значит – задержек. Но при достижении некоторого порога система практически перестаёт пользоваться свопом, то есть увеличение объёма памяти уже не приносит выигрыша в производительности.
На разгон больше влияет не общий объём, а количество модулей памяти, количество чипов на них и количество банков. При определённых значениях данных величин контроллер перегружается и начинает работать медленнее или с ошибками. Для решения проблемы ненадёжности контроллера при больших объёмах памяти применяется так называемая Registered память.
Можно ли вставлять SDR SDRAM в слоты для DDR SDRAM? (И наоборот – DDR в слоты SDR?)
Нет. Хотя они и одинаковы по длине – на этом их сходство и заканчивается. Вот их отличия:
1. Номинальные напряжения питания: 3.3 В – для SDR и 2.5-2.7 В – для DDR
2. Количество контактов: 168 – SDR и 184 – DDR
3. Ключи в нижней части модуля (в полосе контактов): 2 – SDR и 1 – DDR
4. Ключи по бокам модуля (под защёлки): 1 – SDR и 2 – DDR
Вставить модуль в не предназначенный для него слот, конечно, можно, но доступно это только очень сильным и невнимательным. Wink
Ставлю в материнскую плату 512 МБ модуль, а показывает 256. Что за глюки?
Актуально для старых материнских плат, в которые пытаются воткнуть новую память. Причин две:
1. Материнская плата не поддерживает модули данного объёма.
2. Материнская плата не поддерживает модули данной логической организации.
Объяснение второго пункта "на пальцах": ячейки в памяти считываются по "строкам" и "столбцам"; модуль 64 МБ условно может быть организован как 8х8, так и 4х16 или 2х32 мегабайт... Решение 2х32 - слишком экзотично, и инженеры исключают его поддержку, удешевляя плату – логично полагая, что модуль 16х16 (256) – вполне достаточен для нужд данной платы... И поэтому они ставят ограничение на размерность модуля – 16х16. Ну, а когда прогресс приносит нам новую память, и мы втыкаем 512 (16х32), то материнская плата вполне закономерно не видит половины строк или столбцов – она просто не подозревает об их существовании...
Ещё такое может быть связано с тем, что материнская плата некорректно обрабатывает количество банков в модуле (или просто не поддерживает нужное их количество).
Чаще всего такой глюк проявляется на односторонних модулях большой ёмкости, причём – чем меньше чипов на модуле (то есть – они более ёмкие), тем больше его вероятность.
Ставлю в материнскую плату 128 МБ модуль, а показывает 512. Что это?
Это глюк некоторых Intel'овских плат – у них идиосинкразия к определённым модулям. Sad Причём закономерность установить не удалось – те же самые модули в других платах работают прекрасно.
Глюк этот выглядит просто потрясающе: при имеющихся трёх слотах для памяти (один заполнен, два пустые), BIOS показывает четыре слота, причём – все "заполненные"! Wink
На моей материнской плате есть слоты и для SDR SDRAM и для DDR SDRAM, но вместе эти модули не гонятся. Почему?
Потому, что для SDR SDRAM уже достигнута максимальная частота – такие системы проектировались под PC133 и DDR266, и других общих частот у них быть не может (потому, что ни PC166, ни DDR200 официально не выпускались).
Кроме того, не стОит забывать, что модули с различными типами организации при работе вместе зачастую очень плохо разгоняются. (см. следующий вопрос о разнотипных модулях).
При работе в одной связке разных модулей наблюдаются глюки. Из-за чего?
Из-за того, что разные модули имеют разные характеристики, под которые должен "подстраиваться" контроллер памяти. Если он будет пытаться угодить сразу всем модулям, то работа будет возможна лишь на скорости самого медленного модуля (это относится и к частоте, и к таймингам). Если же он будет работать в жёстко заданном режиме разгона, то часть модулей не успеет исполнить его команды и будет глючить.
Кроме того, некоторые контроллеры определяют логическую организацию памяти не по всем модулям, а только по нулевому, при этом могут появиться "фантомные" мегабайты, а чаще – доля объёма памяти "пропадает".
Что такое двухканальная память?
Не бывает двухканальной памяти!!! Бывают двухканальные материнские платы – точно так же, как бывают двухпроцессорные. Наличие двух каналов памяти на материнской плате позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Для реализации этого режима нужно два или четыре модуля памяти, желательно – идентичных.
Как включить двухканальный режим?
Вручную - никак. Точнее - он включается сам, если обнаруживает модули памяти в слотах, относящихся к разным каналам. Слоты, в которые рекомендуется ставить модули из одной "пары", обозначаются одним цветом, слоты для другой "пары" - другим; то есть - первую пару модулей нужно ставить в слоты одного цвета, чтобы включился двухканальный режим.
Если не включился - попробуйте переставить модули в другие слоты.
Я задействовал двухканальный режим, но что-то не заметил ощутимого прироста производительности. Почему?
В теории два канала дают в два раза больше производительности подсистемы памяти; на практике результаты скромнее – от 1% до 20% (в зависимости от приложения). При использовании интегрированного видеоадаптера его эффективность может возрасти на 70-100%.
Помимо этого большую роль играет ЦП – для AMD прирост от двухканальности практически незаметен на FSB<200 МГц, тогда как на Intel'е прирост ощутим на любых частотах.
Я добавил к своему модулю 512 МБ ещё один – 256 МБ, но двухканальный режим не включился. Почему?
(Вариант: Как правильно ставить модули для двухканального режима?)
Сумма мегабайт в одном канале должна быть равна сумме мегабайт в другом канале. Лучше всего, если будут использованы идентичные модули – одна или две пары, но в принципе можно использовать и разные... Главное – чтобы модуль, имеющий наибольший объём, находился в нулевом банке памяти, а оставшиеся два слота от другого канала были заполнены таким же количеством мегабайт. То есть варианты 512+512+0 и 512+256+256 имеют право на существование, а 512+512+256 или 512+128+128 – нет. Для четырёх слотов могут быть комбинации типа 512+0+512+0, 512+0+256+256, 512+256+512+256.
У меня 3 планки по 256 МБ стоят и работают в режиме Dual channel! Почему?
На http://www.8rdafaq.com разобрали ситуацию: при таком положении модулей Dual-mode 128 bit будет работать на одном модуле. Второй и третий модуль будут работать в режиме 64 bit. Так что всё-таки оптимальный режим – когда в обоих банках одинаковое количество памяти.
Чем можно протестировать память?
Тестовыми программами, которые лежат здесь: http://www.overclockers.ru/files/index.shtml?dir=25
Что такое Parity и ECC?
Memory with Parity – память с проверкой чётности; позволяет детектировать некоторые типы ошибок. Ныне почти не применяется.
Memory with ECC – память с коррекцией ошибок; позволяет найти и исправить ошибку одного бита в байте (или найти две и исправить одну – в зависимости от алоритма). Применяется там, где важна целостность данных – в серверах и маршрутизаторах. СтОит дорого, работает относительно медленно; для оверклокера – малопривлекательна.
Что такое "регистровая" память?
Registered Memory – память с регистрами, служащими буфером между контроллером памяти и непосредственно чипами модуля. Регистры уменьшают нагрузку на систему синхронизации и позволяют набирать очень большое количество памяти (например – 16-24 ГБ), не перегружая цепи контроллера (то есть контроллер управляет лишь регистрами – считанными единицами чипов).
Но данная схема имеет недостаток – регистры вносят задержку в 1 такт на каждую операцию, а значит – регистровая память медленнее обычной при прочих равных условиях. То есть – оверклокеру неинтересна. (Да и стОит она очень дорого.)
Более полная информация о Registered Memory – http://ixbt.com/mainboard/registered-dimm.shtml
Сколько нужно памяти?
Для 98-ых виндов хватит и 512 МБ (кроме того - они без спецнастроек и не работают нормально с объёмом памяти, превышающим 512 МБ - смотри http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=11620 и http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=13599 ), а вот 2000-ые и ХР позволяют использовать много памяти, да и сами "потяжелее" будут... Для проверки необходимости увеличения объёма памяти нужно запустить Task Manager и поработать в приложениях, обычных для тестируемого компьютера. При выходе из приложения нужно глянуть на график использования физической оперативной памяти - если её использование составляет 95% и более - необходим upgrade.
Хочу купить память. Как точно узнать – насколько она разгонится?
Точно узнать невозможно. Даже в пределах одной партии модулей результаты могут различаться... Наиболее вероятный прогноз может дать владелец модуля, но только при том условии, что к покупке планируется точно такой же модуль из той же самой партии.
Примерный прогноз разгона памяти можно составить по обзорам на http://www.overclockers.ru/reviews/memory.shtml , но окончательный ответ даст только собственный опыт – разгон этого модуля и тесты.
Чтобы не купить "не то" – пользуйтесь "секретным оружием" – money back! Wink Money back – это заранее обговорённая с продавцом возможность вернуть товар без объяснений в течение двух-трёх дней. Предупреждайте продавца заранее - до того, как он "проведёт" деньги через кассу!
У друга классная память – хочу купить себе такую же... У меня она разгонится?
Может – да, а может – нет. Если система точно такая же – скорее всего результаты будут близкими, если не такая же – "бабушка надвое сказала". Wink
Купил себе память (проц, видеокарту, etc.) Насколько она у меня разгонится?
Ну неужели вам самим не интересно попробовать??? Ну что это за оверклокер, который спрашивает "Разгонится моя память или нет?"! Это фигня какая-то, а не оверклокер! Smile
Не ленитесь сами экспериментировать!!! Настоящий оверклокер сам разгоняет всё, что может. Сам экспериментирует и выясняет пределы возможностей своих "железок".
Так же рекомендую к прочтению даную статью Современная оперативная память
При составлении данного FAQ'а использованы: обзоры и тесты на http://overclockers.ru , материалы дискуссий на http://forums.overclockers.ru/viewforum.php?f=4 , а также – статья http://ixbt.com/mainboard/memorytune-viabios.shtml . Ну и – конечно – собственный опыт. Smile
взято с overclockers.ru
Старый медведь учит молодого:
- Hа человека надо нападать так, чтобы он успел тебя увидеть и среагировать.
- Зачем?
- Они потом вкуснее, в них уже говна нет.
- Hа человека надо нападать так, чтобы он успел тебя увидеть и среагировать.
- Зачем?
- Они потом вкуснее, в них уже говна нет.
-
Deu$
- Чугуниевый бампер '10
- Сообщения: 1720
- Зарегистрирован: Вс авг 01, 2004 12:15 am
- Откуда: RAP Zone
- Контактная информация:
Обычной латентность обозначают в виде 2.5-4-4-4, параметр, где у тебя написано 15, обычно в характеристике латентности не указывается
Tuningmode.ru - тюнинг, стайлинг, доп. оборудование для авто